高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、シリコンをベースとした一般的な電界効果トランジスタ（FET）に比べて、電子の移動速度が速い化合物半導体を用いたトランジスタである。1979年に富士通研究所の三村高志によって発明された。 高速応答性にすぐれるため、低雑音の高周波増幅器に適しており、50 GHz 以下の電波観測装置の初段の低雑音増幅器やSISミクサの後段増幅器として使われている。試験的には500 GHz程度まで動作することが報告されている。半導体材料としては、ガリウム・ヒ素（GaAs）やインジウム・リン（InP）、シリコン・ゲルマニウム（SiGe）が使われている。ヘテロ接合をもつことからHFETと呼ばれることもある。